UDZS11B 时间：2025/12/25 12:49:23 阅读：25

UDZS11B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和电压箝位应用。该器件属于UDZS系列，采用小型SOD-323封装，具有较小的尺寸和较高的可靠性，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。齐纳二极管是一种特殊的半导体二极管，能够在反向击穿区域稳定工作，并提供一个精确且稳定的参考电压。UDZS11B的标称齐纳电压为11V，在规定的测试电流下能够维持良好的电压稳定性。该器件经过优化设计，具备较低的动态阻抗和快速的响应特性，能够在瞬态条件下有效抑制电压波动。此外，UDZS11B还具有良好的温度稳定性和长期可靠性，适用于多种工业、消费类及通信类电子产品中的电源管理与信号调理电路。其封装形式便于自动化贴片生产，符合现代电子制造对高密度组装的需求。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：11V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：40Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ Vr = 8.8V
　　峰值脉冲功率（Ppp）：300mW（短时间）

特性

UDZS11B具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其核心特性之一是低动态阻抗，在额定工作电流下表现出较强的电压调节能力，即使负载电流发生微小变化，也能有效抑制输出电压的波动，从而提高系统的稳定性。该器件采用先进的硅扩散工艺制造，确保了齐纳击穿特性的均匀性和一致性，同时提升了器件的长期可靠性。SOD-323封装不仅体积小巧，有助于节省PCB布局空间，而且具有良好的散热性能，能够在有限的功耗条件下实现高效热传导。UDZS11B的±5%电压容差保证了在批量生产过程中的一致性，减少了校准需求，提高了生产效率。此外，该器件对瞬态电压具有较强的耐受能力，可用于保护敏感电路免受电压尖峰的影响。在高频或开关电源环境中，UDZS11B能够快速响应电压变化，发挥出色的箝位作用。其反向漏电流极低，在未达到击穿电压时几乎不导通，降低了待机功耗，适合用于低功耗设计。整体而言，UDZS11B结合了高精度、小尺寸和高可靠性的特点，广泛应用于各种需要稳定参考电压或过压保护的场合。
　　该器件还符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的要求。由于其标准化的参数和广泛的供货渠道，UDZS11B成为工程师在进行电压基准设计时的常用选择之一。

应用

UDZS11B常用于各类电子设备中的电压参考源构建，例如在模拟-to-数字转换器（ADC）、数字-to-模拟转换器（DAC）以及运算放大器电路中作为偏置电压或基准电压使用。它也可作为稳压元件应用于低电流线性稳压电路中，为微控制器、传感器或其他低功耗IC提供稳定的供电电压。在电源管理系统中，UDZS11B可用于过压保护电路的设计，通过将多余电压引导至地来防止后续电路受到损害。此外，该器件还可用于信号电平箝位，防止输入信号超过预定阈值而损坏后续级联电路，这在接口电路如USB、I2C总线保护中尤为常见。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，UDZS11B凭借其小型化封装和高可靠性被广泛采用。工业控制设备、测量仪器和通信模块也常利用其稳定的电压特性来提升系统精度。在汽车电子领域，尽管其非车规级认证，但在部分辅助电路或测试板中仍可作为临时参考元件使用。总之，任何需要精确、稳定且紧凑型电压基准的应用场景均适合选用UDZS11B。