类型：SiC MOSFET
　　额定电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：23A
　　导通电阻（RDS(on) @ 25°C）：82mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约3.5V
　　最大栅源电压（VGS max）：+20V / -10V
　　功耗（PD）：典型值140W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：LGA
　　输入电容（Ciss）：约1900pF
　　输出电容（Coss）：约450pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：接近0C

UDT23A36L02的核心优势在于其基于碳化硅材料的半导体特性，使其在高频、高效率电源转换系统中表现卓越。首先，该器件具备极低的导通电阻（RDS(on)），仅为82mΩ，在同类650V器件中处于领先水平，这意味着在相同电流条件下，其导通损耗远低于传统硅基MOSFET，有效提升了系统效率。其次，由于碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度和热导率，该器件能够在高达175°C的结温下持续工作，且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，大幅减少了散热器尺寸和冷却系统的复杂性。
　　该器件的开关特性极为优异，具有非常低的输入和输出电容，以及几乎可以忽略不计的体二极管反向恢复电荷（Qrr），这在硬开关或高频软开关拓扑中尤为重要。例如，在图腾柱无桥PFC电路中，传统硅MOSFET因体二极管反向恢复问题会导致显著的开关损耗和电磁干扰，而UDT23A36L02由于其肖特基体二极管结构或优化的沟道设计，极大抑制了反向恢复现象，从而实现了更高的系统效率和更低的EMI噪声。此外，该器件支持快速开关，能够工作在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下，有助于减小磁性元件的体积和重量，实现更高功率密度的设计。
　　UDT23A36L02采用LGA封装，这种封装形式不仅具有优异的热传导性能，还能有效降低封装内的寄生电感，提升器件在高频下的动态性能。LGA封装还便于双面散热设计，进一步增强热管理能力。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受时间（通常可达数微秒），提高了在异常工况下的系统可靠性。其栅极驱动电压兼容标准的+12V至+15V开启电压，同时支持负压关断（最低-10V），可有效防止误开通，适用于高噪声工业环境。总之，UDT23A36L02凭借其低损耗、高频率、高可靠性和优越的热性能，成为下一代高效电源系统的关键器件之一。

UDT23A36L02广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。首先，在服务器电源、通信电源和工业电源中的AC-DC转换环节，特别是采用图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）拓扑的前端电路中，该器件凭借其极低的反向恢复电荷和导通损耗，能够显著提升整机效率，满足80 PLUS钛金等超高能效标准。其次，在DC-DC变换器中，如LLC谐振转换器、移相全桥（PSFB）和非隔离式降压/升压拓扑中，UDT23A36L02的快速开关能力和低开关损耗使其能够在高频下高效运行，从而缩小变压器和电感的体积，提高功率密度。
　　在可再生能源领域，该器件可用于太阳能逆变器和储能系统的DC-AC逆变器中，提升能量转换效率并延长系统寿命。此外，在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流快充桩，UDT23A36L02都能在高电压、大电流和高温环境下稳定工作，支持双向能量流动，满足严苛的应用需求。电机驱动系统，尤其是工业伺服驱动和高端家电变频器，也受益于该器件的高性能，实现更精确的控制和更低的能耗。
　　由于其出色的热性能和可靠性，UDT23A36L02还适用于航空航天、轨道交通和高端测试设备等对安全性和稳定性要求极高的领域。总体而言，任何需要高效率、小型化和高可靠性的电源系统都可以考虑采用UDT23A36L02作为核心开关器件，尤其是在替代传统硅基IGBT或超结MOSFET的应用场景中展现出明显优势。

UDTH8TA17K02
　　UD-17K02S-A01
　　UJC06505KLT