KTC3295-B-RTK 时间：2025/12/28 14:47:43 阅读：12

KTC3295-B-RTK 是一款由 KEC（东芝半导体的授权制造商）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适合在 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）等应用中使用。该型号采用 SOT-23（SC-59）封装，适合表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs = 10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5Ω（@ Vgs = 10V）
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

特性

KTC3295-B-RTK 具备多项优良特性，使其在低功耗和高效率电源系统中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 使用沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　其次，其较低的栅极电荷（Qg）使得开关速度更快，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能，适用于紧凑型电子设备的电源管理设计。
　　KTC3295-B-RTK 的 SOT-23 封装形式体积小巧，便于在空间受限的 PCB 设计中安装，同时具备良好的焊接稳定性和机械强度。
　　该器件还具备较强的抗静电能力（ESD），提高了在工业环境中的可靠性，减少了因静电放电引起的损坏风险。
　　最后，KTC3295-B-RTK 具有较高的工作温度耐受性，能够在恶劣环境条件下稳定工作，适用于便携式设备、智能电表、工业控制设备等多种应用场景。

应用

KTC3295-B-RTK 广泛应用于多个电子领域，尤其适合需要低功耗、小尺寸封装和高效能的电路设计。
　　在电源管理系统中，它可用于 DC-DC 转换器、负载开关和稳压电路，实现高效的能量传输和管理。
　　在电池管理系统中，该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电路径，提高电池使用安全性和效率。
　　在工业控制设备中，KTC3295-B-RTK 可用于电机驱动、继电器替代和传感器接口电路，提供可靠的开关性能。
　　此外，该器件还可用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，以减小整体尺寸并延长电池续航时间。
　　在智能电表和物联网设备中，该 MOSFET 可用于远程通信模块的电源控制，实现低功耗待机和高效运行。