晶体管类型：达林顿 NPN 晶体管阵列
　　晶体管数量：8 对达林顿 NPN 晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极最大电流（Ic）：500mA/每对晶体管
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP-18

UDQ2916EB-2 的核心优势在于其集成化的达林顿晶体管结构，提供高电流增益和强大的输出电流能力。每个达林顿对管由两个 NPN 晶体管组成，通过级联连接实现更高的电流放大倍数，通常可达几千倍。这使得该芯片能够在输入信号较弱的情况下驱动高功率负载。
　　此外，UDQ2916EB-2 提供了良好的热稳定性和过载保护能力，确保在高电流工作条件下器件的可靠性。芯片内置的续流二极管可保护晶体管免受电感负载（如继电器、电机）反向电动势的损害，提高了整体系统的稳定性。
　　该器件的 DIP-18 封装设计使其易于安装在 PCB 上，并具备良好的散热性能。同时，UDQ2916EB-2 支持多路并联使用，以满足更高电流输出的需求，广泛应用于自动化控制和工业设备中。

UDQ2916EB-2 主要应用于需要高电流放大和驱动能力的场景。例如，它可以用于驱动继电器、步进电机、LED 显示屏、电磁阀等大功率负载。此外，该器件也常用于工业自动化系统、打印机和绘图仪的电机控制、机器人控制系统以及汽车电子设备中。
　　由于其内置续流二极管和高可靠性设计，UDQ2916EB-2 特别适合在存在高电感负载的环境中使用，能够有效防止电压反冲对电路造成的损害，提高系统的稳定性和安全性。
　　在嵌入式开发中，该芯片常与微控制器配合使用，作为功率输出级来控制各种执行机构，例如电机、风扇、加热元件等。

ULN2803AD1-11, TIP120, TIP122, ULQ2003A