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GA1812A121GXGAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 10:31:35 查看 阅读:10

GA1812A121GXGAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。
  其主要功能是通过控制栅极电压来实现对电流的快速开关,从而在各种电力电子设备中提供高效的电能转换和调节。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.2mΩ
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷:95nC

特性

GA1812A121GXGAT31G 的核心特性在于其卓越的电气性能与可靠性。首先,该器件的低导通电阻(1.2mΩ)显著降低了功率损耗,使得其在高电流应用中表现出色。其次,高开关速度和优化的栅极驱动设计有助于减少开关损耗,提高整体效率。
  此外,该芯片具有强大的散热能力,能够在极端温度条件下稳定运行。其坚固的结构设计还支持较高的浪涌电流承受能力,确保了在复杂工业环境中的长期可靠性。
  它还内置了过温保护和短路保护机制,进一步增强了系统的安全性。同时,其符合 RoHS 标准,适用于环保要求严格的现代电子产品。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动车充电系统
  6. 工业自动化设备
  由于其出色的性能,GA1812A121GXGAT31G 成为许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

IRFP2907,
  STP30NF06,
  FDP17N06,
  IXTH30N06L

GA1812A121GXGAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-