时间：2025/4/28 8:54:08
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IS43DR16640B-3DBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）推出的高速低功耗DDR3 SDRAM存储芯片。该器件采用先进的制造工艺，提供大容量的存储解决方案，适合于对性能和功耗要求较高的应用场合。
这款芯片具有16M x 64位的组织结构，总存储容量为1Gb。它支持DDR3标准接口协议，并在时钟速率、数据传输速度等方面表现优异。此外，该器件还具有多种省电模式，能够有效降低功耗。
容量：1Gb
组织结构：16M x 64
接口类型：DDR3
工作电压Vcc：1.35V ± 0.05V
工作电压Vccq：1.35V ± 0.05V
数据传输速率：最高可达1600Mbps
封装形式：BGA276
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚间距：1.0mm
IS43DR16640B-3DBLI具备以下主要特性：
1. 支持DDR3 SDRAM规范，兼容JEDEC标准。
2. 高速数据传输能力，最高速率可达1600Mbps。
3. 采用低功耗设计，支持多种省电模式，例如自刷新模式、深度掉电模式等。
4. 内置8位或16位预取架构，提升数据访问效率。
5. 提供高性能的突发传输模式，支持突发长度为4、8等。
6. 支持同步接口操作，数据输入输出通过差分时钟信号进行控制。
7. 具有较强的抗干扰能力和稳定性，适用于工业级和消费级应用场景。
8. 封装形式紧凑，便于系统集成。
IS43DR16640B-3DBLI广泛应用于需要大容量存储和高带宽数据传输的场景中，包括但不限于：
1. 工业控制设备，如PLC、运动控制器等。
2. 网络通信设备，如路由器、交换机等。
3. 嵌入式计算平台，例如单板计算机、工控主板等。
4. 消费类电子产品，如高清电视、机顶盒、智能音响等。
5. 医疗设备中的数据采集与处理模块。
6. 汽车电子系统，用于导航、娱乐及信息显示等功能。
IS43TR16640B-3DLI
MT41K128M16JT-045E
K4B2G164QF-BCJL
