IXGH10N100A 时间：2025/8/6 8:40:11 阅读：33

IXGH10N100A是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器和电机控制等领域。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性等特点。IXGH10N100A封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：10A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功率耗散（PD）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXGH10N100A是一款高性能的功率MOSFET，具备多项优良特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该器件具有较高的耐压能力（100V），适用于中高压电源转换应用。此外，IXGH10N100A采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的稳定性和寿命。
　　在开关性能方面，IXGH10N100A具有较快的开关速度，能够适应高频开关操作，减少开关损耗，适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器等应用。同时，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于降低驱动电路的功耗，并提高系统的响应速度。
　　另外，IXGH10N100A具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的工作状态。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业环境。该器件还具备一定的抗过载能力，在短时间的过流或过压条件下仍能保持正常工作，提高了系统的可靠性。
　　总的来说，IXGH10N100A是一款适用于多种功率电子应用的高性能MOSFET，具备高效、低损耗、高稳定性和良好的热管理能力。

应用

IXGH10N100A广泛应用于各种功率电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converters）、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业控制设备。在电源管理领域，该MOSFET可用于高效率的功率转换系统，提高能量利用率并减少发热。在电机控制方面，IXGH10N100A可用于H桥电路或PWM控制电路，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电能质量调节设备等新能源应用。