EP1S20F780I6N 时间：2023/8/1 11:11:08 阅读：247

产品概述

产品型号	EP1S20F780I6N
描述	集成电路FPGA 586 I/O 780FBGA
分类	集成电路(IC)，嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列)
制造商	英特尔
系列	Stratix?
打包	托盘
零件状态	过时的
电压-电源	1.425V?1.575V
工作温度	-40°C?100°C(TJ)
包装/箱	780-BBGA，FCBGA
供应商设备包装	780-FBGA(29x29)
基本零件号	EP1S20

产品图片

EP1S20F780I6N

规格参数

可编程逻辑类型	现场可编程门阵列
符合REACH	是
符合欧盟RoHS	是
状态	转入
JESD-30代码	S-PBGA-B780
JESD-609代码	1号
总RAM位	1669248
CLB数量	2132.0
输入数量	586.0
逻辑单元数	18460.0
输出数量	586.0
端子数	780
组织	2132 CLBS
峰值回流温度(℃)	245
电源	1.5,1.5 / 3.3
资格状态	不合格
座高	3.5毫米
子类别	现场可编程门阵列
电源电压标称	1.5伏
最小供电电压	1.425伏
最大电源电压	1.575伏
安装类型	表面贴装
技术	CMOS
终端完成	锡银铜
终端表格	球
端子间距	1.0毫米
终端位置	底部
时间@峰值回流温度最大值(秒)	40
长度	29.0毫米
宽度	29.0毫米
包装主体材料	塑料/环氧树脂
包装代码	BGA
包装等效代码	BGA780,28X28,40
包装形状	广场
包装形式	网格阵列
制造商包装说明	29 X 29 MM，1 MM间距，无铅，FBGA-780

环境与出口分类

无铅状态	无铅
水分敏感性水平(MSL)	3(168小时)

特点

10,570至79,040 LE 见表1-1
多达7,427,520个RAM位(928,440字节)可用，而不减少逻辑资源
TriMatrixTM存储器，由三种RAM块大小组成，以实现真正的双端口存储器和先进先出(FIFO)缓冲区
高速DSP模块提供乘法器(快于300 MHz)，乘法累加功能和有限脉冲响应(FIR)滤波器的专用实现
多达16个全局时钟，每个设备区域具有22个时钟资源
每个设备多达12个PLL(四个增强型PLL和八个快速PLL)可提供扩频，可编程带宽，时钟切换，实时PLL重配置以及高级乘法和相移
支持多种单端和差分I / O标准
在多达116个通道上支持高速差分I / O，其中多达80个通道针对840兆比特(Mbps)进行了优化
支持高速网络和通信总线标准，包括RapidIO，UTOPIA IV，CSIX，HyperTransportTM技术，10G以太网XSBI，SPI-4阶段2(POS-PHY级别4)，和SFI-4
对LVDS的差分片上匹配支持
支持高速外部存储器，包括零总线周转(ZBT)SRAM，四数据速率(QDR和QDRII)SRAM，双数据速率(DDR)SDRAM，DDR快速周期RAM(FCRAM)和单数据速率(SDR) )SDRAM
在-6和更高速度级别的设备中支持66-MHz PCI(64和32位)，在-8和更快速度级别的设备中支持33-MHz PCI(64和32位)
在-5速度等级的设备中支持133 MHz PCI-X 1.0
在-6和更高速度等级的设备中支持100 MHz PCI-X 1.0
在-7速级设备中支持66-MHz PCI-X 1.0
支持AlteraMegaCore?功能和Altera Megafunction Partners Program(AMPPSM)宏功能中的多个知识产权宏功能
支持远程配置更新