类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散(Pd)：100W

UDQ2559LB-T具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件在高电流条件下仍能保持稳定工作，具备良好的热稳定性与耐久性。其采用的TO-252封装形式便于散热设计，适用于高密度PCB布局。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源应用，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路等。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和使用。
　　在可靠性方面，UDQ2559LB-T通过了严格的工业标准测试，具备较高的抗静电能力和过热保护能力。该器件的封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计需求。由于其优异的性能指标，该MOSFET常被用于通信设备、服务器电源、工业自动化控制、汽车电子等对性能和稳定性要求较高的领域。

UDQ2559LB-T广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具、电机驱动电路、服务器电源模块、工业控制系统、电源管理单元以及汽车电子系统（如车载充电器、启停系统等）。其优异的导通特性和热稳定性也使其成为高效率电源设计中的优选器件。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710PBF, FDS4410A, AO4407A