FMH23N50E 时间：2025/8/9 20:14:07 阅读：27

FMH23N50E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件设计用于高效能的电源转换系统，如电源供应器、马达控制和DC-DC转换器。FMH23N50E采用了先进的平面工艺技术，以确保在高电压下仍能保持良好的导通性能和开关特性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：23A
　　漏源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值0.22Ω（在VGS=10V时）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功耗（PD）：125W

特性

FMH23N50E具有低导通电阻特性，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其导通电阻在VGS=10V时典型值为0.22Ω，确保了在高电流条件下的低功耗性能。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减小外部滤波器组件的尺寸，提高整体系统的功率密度。另外，FMH23N50E具有较高的dv/dt耐受能力，有助于防止在高电压快速切换时产生的误触发问题，提高系统的可靠性。其TO-220封装形式也便于散热管理，适用于多种工业和消费类电子应用。

应用

FMH23N50E广泛应用于各类功率电子设备中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及工业自动化控制系统。由于其高电压和高电流处理能力，该器件也常用于照明系统（如LED驱动器）和家用电器（如微波炉和洗衣机）中的电源管理模块。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电设备中，FMH23N50E也可用于关键的开关电路中，以实现高效的能量转换。