UDN5741M 时间：2025/7/30 2:41:23 阅读：5

UDN5741M是一款由Allegro MicroSystems生产的低边N沟道MOSFET栅极驱动器集成电路，专为驱动高功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片采用双极性工艺制造，具有高输出电流能力和优异的热稳定性，适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动等应用。UDN5741M的工作电压范围宽，输出驱动能力强，能够提供高达1.2A的峰值电流，确保MOSFET快速导通和关断，降低开关损耗。

参数

封装类型：16引脚 SOIC
　　工作电压范围：9V 至 20V
　　输出峰值电流：1.2A（典型值）
　　输入逻辑兼容性：3.3V 至 20V
　　导通延迟时间：80ns（典型值）
　　关断延迟时间：50ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输出端口数量：1通道
　　最大功耗：1.2W

特性

UDN5741M具有多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO），以防止在低电压情况下误操作；内置的热关断功能可在芯片温度过高时自动关闭输出，保护芯片免受损坏。此外，该器件还具有高抗噪能力，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
　　UDN5741M的驱动能力强，能够快速充放电MOSFET栅极电容，从而减少开关时间，提高系统效率。其输入端兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与各种控制器或微处理器接口连接。
　　该芯片采用SOIC封装，体积小巧，便于PCB布局，同时具备良好的散热性能。其内部结构设计优化，降低了电磁干扰（EMI），提高了整体系统的可靠性。