B1457R 时间：2025/8/18 22:47:13 阅读：28

B1457R 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率应用。这款 MOSFET 设计用于高效能的电源管理，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等场景。其封装形式通常为表面贴装型（如 SOP 或 DFN），适合在自动化生产线上使用，并具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.7A（@25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 30mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

特性

B1457R 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这使得在导通状态下功耗更低，提高了整体系统的效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 10V 的驱动电压，适应不同的控制电路设计需求。此外，B1457R 具备较高的热稳定性和良好的瞬态响应能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其表面贴装封装设计有助于提高 PCB 布局的灵活性，并支持自动焊接工艺，提高制造效率。这款 MOSFET 还具备较高的耐压能力，能够承受较高的漏源电压（VDS），适用于多种电源管理应用。此外，B1457R 的封装具有良好的散热性能，有助于在高电流应用中维持较低的温度上升，提高系统的可靠性。
　　B1457R 还具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其内部结构优化了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而降低了开关过程中的能量损耗。这种特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及 PWM 控制系统等高频应用。同时，该器件的短路耐受能力和过温保护功能也增强了其在恶劣工作环境中的稳定性。

应用

B1457R 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 电源管理：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等；
　　? 电机控制：用于 H 桥驱动、直流电机控制电路；
　　? 电池管理系统：如电池充放电控制、保护电路；
　　? 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、智能音箱等设备中的电源控制模块；
　　? 工业控制系统：如 PLC、伺服驱动器、工业自动化设备中的电源开关元件；
　　? LED 照明：用于恒流驱动和调光控制电路。