时间：2025/5/10 13:16:38
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IPB026N06N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适合用于各种高效率开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高系统的整体效率。其额定电压为 60V，适用于多种工业、汽车和消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
封装类型：TO-247
IPB026N06N 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 快速开关性能，可实现高频操作，适用于开关电源、DC-DC 转换器等应用。
3. 高电流处理能力，支持高达 18A 的连续漏极电流。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 封装形式为 TO-247，易于集成到现有设计中。
IPB026N06N 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路。
4. 工业控制设备。
5. 汽车电子系统。
6. 电池管理系统 (BMS)。
7. 各类高效能功率转换模块。
IRLB8748PBF, FDP5500, SI4820DY
