工作电压：8 V 至 35 V
　　最大输出电流：±1.5 A（峰值）
　　内部 MOSFET 类型：N 沟道 MOSFET
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　控制模式：H 桥全桥驱动
　　集成保护功能：过流保护（OCP）、过热保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）
　　接口类型：标准逻辑输入
　　最大功耗：2.5 W
　　电流调节分辨率：支持外部电流调节电阻

UDN2916SEB 的核心特性是其集成化的双 H 桥结构，能够直接驱动双极性步进电机，无需外部功率 MOSFET 或晶体管。芯片内置的电流调节电路允许用户通过外部电阻器设定电机的驱动电流，从而实现对电机扭矩和功耗的精确控制。此外，UDN2916SEB 还具备多种保护机制，包括过流保护、过热保护和欠压锁定功能，有效防止芯片在异常工况下损坏，提高系统的可靠性和稳定性。
　　该芯片采用 TSSOP 封装，体积小巧，适合在空间受限的应用场景中使用。其逻辑输入接口兼容标准的 TTL/CMOS 电平，便于与微控制器或其他控制电路连接。UDN2916SEB 支持多种步进模式，包括全步、半步和微步控制，能够满足不同应用对电机运行平稳性和精度的需求。此外，芯片内部的功率 MOSFET 设计优化了导通电阻，降低了功耗并提高了效率。
　　在散热方面，UDN2916SEB 设计有裸露的散热焊盘，可通过 PCB 布局实现良好的热管理，确保芯片在高负载条件下稳定工作。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境。

UDN2916SEB 主要用于驱动小型至中型双极性步进电机，在多种自动化和精密控制设备中广泛应用。典型应用包括打印机、扫描仪、数控机床、机器人、3D 打印机、医疗仪器、安防摄像头、自动售货机等设备中的电机控制系统。其高集成度和可靠性使其成为对空间和性能要求较高的嵌入式系统设计中的理想选择。

A4988、DRV8825、TMC2208、L298N