时间：2025/9/15 2:08:12
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BUK9K17-60E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能电源转换和功率管理应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热稳定性，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等高要求的电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：170A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.7mΩ（在VGS = 10V）
最大功耗（PD）：320W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerSO-10
BUK9K17-60E具有多项优异的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的最大RDS(on)为5.7mΩ，这意味着在大电流工作条件下，功耗和发热可以被有效控制。
其次，BUK9K17-60E采用了先进的沟槽技术（Trench Technology），使其在保持高耐压（60V）的同时实现了更高的电流处理能力。此外，该MOSFET的封装形式为PowerSO-10，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度设计中有效散热。
该器件的栅极驱动电压范围为10V至20V，兼容主流的MOSFET驱动电路，同时也支持快速开关操作，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。其高耐用性使其适用于严苛的工业环境，例如高温、高湿度和高振动条件。
此外，BUK9K17-60E具备出色的雪崩能量耐受能力（Avalanche Energy Rating），能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，从而提高系统的可靠性和稳定性。该特性对于电源转换器和电机驱动器等应用场景尤为重要。
最后，该MOSFET的封装形式支持表面贴装（SMD），方便在现代PCB制造中使用自动化装配流程，提升生产效率。
BUK9K17-60E广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理系统：如AC-DC和DC-DC电源模块，用于提高转换效率和降低功耗。
2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动器，提供高电流能力和低导通损耗。
3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动车和储能系统中的充放电控制。
4. 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业电源。
5. 汽车电子：包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和启停系统。
6. 太阳能逆变器：用于光伏系统中的功率转换和能量管理。
7. 家用电器：如智能家电和高功率吸尘器等，用于高效的电机驱动和电源控制。
SiR178DP, FDS6680, IRF1710, IPB036N06N3, BUK9Y17-60E
