LZP40N10 时间：2025/9/6 12:16:53 阅读：23

LZP40N10 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电子设备中的功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热性能，适合在高效率和高可靠性的电路设计中使用。LZP40N10 采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装应用，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：-100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-40A
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.035Ω（在 Vgs = -10V 时）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

LZP40N10 作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具备多项优异的电气和物理特性。首先，其漏极-源极电压为 -100V，这使得它能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）仅为 0.035Ω，在 Vgs = -10V 的条件下，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，LZP40N10 具有较大的连续漏极电流能力（-40A），使其能够驱动较大的负载，适用于高功率密度设计。该器件还具有良好的热管理能力，封装形式为 TO-252（DPAK），能够在高功率耗散（125W）的情况下保持稳定的性能。LZP40N10 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。栅极-源极电压最大为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力和稳定性。这些特性使得 LZP40N10 成为理想的功率开关器件，适用于各种 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理和电机控制等应用。
　　LZP40N10 的另一个显著特点是其高可靠性和耐用性。该器件采用先进的硅工艺制造，确保了在极端条件下的稳定运行。此外，TO-252 封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。LZP40N10 的设计还考虑了易于焊接和组装，适合表面贴装工艺，简化了 PCB 设计和生产流程。

应用

LZP40N10 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的功率控制场合。常见的应用包括：电源管理系统中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器、车身控制模块）以及消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能家电）。在这些应用中，LZP40N10 提供了高效的功率控制能力，帮助设计人员实现更小的电路尺寸和更高的能效。