您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LZP40N10

LZP40N10 发布时间 时间:2025/9/6 12:16:53 查看 阅读:14

LZP40N10 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电子设备中的功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热性能,适合在高效率和高可靠性的电路设计中使用。LZP40N10 采用 TO-252(DPAK)封装,适合表面贴装应用,适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):-100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-40A
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  导通电阻(Rds(on)):典型值 0.035Ω(在 Vgs = -10V 时)
  功率耗散(Pd):125W
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

LZP40N10 作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备多项优异的电气和物理特性。首先,其漏极-源极电压为 -100V,这使得它能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换应用。其次,该器件的导通电阻(Rds(on))仅为 0.035Ω,在 Vgs = -10V 的条件下,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,LZP40N10 具有较大的连续漏极电流能力(-40A),使其能够驱动较大的负载,适用于高功率密度设计。该器件还具有良好的热管理能力,封装形式为 TO-252(DPAK),能够在高功率耗散(125W)的情况下保持稳定的性能。LZP40N10 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于严苛的工业和汽车环境。栅极-源极电压最大为 ±20V,提供了良好的栅极控制能力和稳定性。这些特性使得 LZP40N10 成为理想的功率开关器件,适用于各种 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理和电机控制等应用。
  LZP40N10 的另一个显著特点是其高可靠性和耐用性。该器件采用先进的硅工艺制造,确保了在极端条件下的稳定运行。此外,TO-252 封装提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命。LZP40N10 的设计还考虑了易于焊接和组装,适合表面贴装工艺,简化了 PCB 设计和生产流程。

应用

LZP40N10 广泛应用于多种电子设备和系统中,特别是在需要高效率和高可靠性的功率控制场合。常见的应用包括:电源管理系统中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、汽车电子系统(如车载充电器、车身控制模块)以及消费类电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和智能家电)。在这些应用中,LZP40N10 提供了高效的功率控制能力,帮助设计人员实现更小的电路尺寸和更高的能效。

替代型号

IRF9540N, FQP40P10, STP40PF10

LZP40N10推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价