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UCC21231 发布时间 时间:2025/8/28 11:39:15 查看 阅读:13

UCC21231是一款由Texas Instruments(TI)推出的高性能、双通道、隔离式栅极驱动器IC,专为驱动高功率MOSFET、SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)功率器件而设计。该器件采用了TI的专有增强型硅基隔离技术(Silicon Dioxide, SiO2),提供了高达5.7kVRMS的增强型隔离等级,适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统和电机驱动等高可靠性应用。UCC21231具备高抗噪能力,支持高达200V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI),确保在恶劣的电磁环境中稳定工作。

参数

工作电压范围:4.5V至25V(VDD至VSS)
  输入信号兼容性:3.3V、5V和15V逻辑电平
  输出峰值驱动电流:±4.0A(典型值)
  传播延迟:典型值为48ns
  脉冲宽度失真:小于5ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  隔离等级:符合UL1577标准,5700VRMS隔离电压
  安全认证:符合IEC 61010、IEC 60950和IEC 60664标准
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100V/ns
  输入信号类型:CMOS兼容
  封装形式:16引脚SOIC宽体封装

特性

UCC21231采用增强型硅基隔离技术,确保了高隔离性能和长期可靠性。其双通道输出设计支持独立控制,适用于半桥或全桥拓扑结构中的功率开关驱动。该器件内置欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件误操作。输入端支持三态控制,便于实现系统级故障保护。UCC21231还具备高噪声抑制能力,能够在高dv/dt环境下稳定工作,避免因干扰导致的误触发。此外,该芯片采用宽体SOIC封装,增强了爬电距离和电气安全性,适用于高电压应用环境。其驱动能力强、响应速度快,适用于高频开关应用,同时支持多种功率器件类型,包括硅基MOSFET、SiC和GaN晶体管。
  在热管理方面,UCC21231具有良好的热稳定性,能够在高温环境下持续工作。其封装材料符合RoHS标准,适用于环保型工业设计。该器件的高集成度减少了外围电路需求,降低了设计复杂度并提高了系统整体效率。

应用

UCC21231广泛应用于需要高隔离等级和高性能驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括工业电源转换器、太阳能光伏逆变器、电动汽车车载充电器(OBC)、储能系统、电机驱动器、不间断电源(UPS)以及高功率DC-DC转换器。由于其支持SiC和GaN等宽禁带半导体器件,因此特别适用于高频率、高效率的功率转换系统。在电机控制和变频器应用中,UCC21231可有效提升系统的动态响应和能效表现。此外,在电力基础设施和智能电网设备中,该器件可为关键功率开关提供可靠的隔离驱动方案。

替代型号

UCC21220, UCC21520, NCP51561, ADuM4223

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