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PMDPB70XPE,115 发布时间 时间:2025/9/14 9:52:24 查看 阅读:3

PMDPB70XPE,115 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)推出的一款高性能、低功耗的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路。该器件专为工业控制、电源管理和电机驱动等应用设计,提供高效的开关控制和保护功能。该芯片采用先进的BiCMOS工艺制造,具备高速响应能力和稳定的性能表现。PMDPB70XPE,115 是一款双通道高端/低端MOSFET驱动器,适用于半桥和全桥拓扑结构的功率转换系统。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道数:2通道
  工作电压范围:4.75V至20V
  输出电流:高端/低端各为1.6A/2.2A
  传播延迟:典型值为9ns
  输入逻辑电平:兼容3.3V、5V及12V逻辑
  封装类型:TSSOP
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

PMDPB70XPE,115 具备多项先进的功能,以确保其在复杂应用环境中的稳定性和可靠性。
  首先,该器件采用高速BiCMOS工艺制造,具备快速的传播延迟(典型值为9ns),确保MOSFET的开关动作更加精确和高效,从而提高系统的整体效率并减少开关损耗。
  其次,PMDPB70XPE,115 采用双通道架构,分别支持高端和低端MOSFET的驱动,适用于半桥、全桥拓扑结构,广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器和功率因数校正(PFC)电路中。
  此外,该芯片内置欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时,驱动器将自动关闭输出,防止MOSFET在非理想条件下工作,避免潜在的损坏或性能下降。
  PMDPB70XPE,115 的输入逻辑兼容3.3V、5V和12V电平,使其能够灵活地与各种控制器或微处理器接口,适应多种系统设计需求。
  其封装采用TSSOP形式,具备良好的散热性能和紧凑的尺寸,适用于高密度PCB布局和空间受限的应用场景。
  最后,该芯片工作温度范围宽广(-40°C至+125°C),适用于工业级和车载应用,确保在严苛环境下的稳定运行。

应用

PMDPB70XPE,115 主要用于需要高效MOSFET驱动的功率电子系统。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、功率因数校正(PFC)模块以及工业自动化控制系统。由于其高速响应能力和高驱动电流,该器件特别适用于需要高频开关操作的电源转换系统,如开关电源(SMPS)、电池充电器和太阳能逆变器。此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和48V轻混系统等应用,满足汽车级可靠性要求。

替代型号

TC4420VPA, IR2110S, LM5101B, NCP81075

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PMDPB70XPE,115参数

  • 现有数量8,565现货
  • 价格1 : ¥4.29000剪切带(CT)3,000 : ¥1.22996卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)79 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)600pF @ 10V
  • 功率 - 最大值515mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-HUSON(2x2)