IRF9910TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,适用于高频开关和功率转换应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提高效率。
IRF9910TRPBF 的设计使其在各类工业、通信及消费电子领域中表现出色,例如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:58A
导通电阻:2.7mΩ
总栅极电荷:75nC
输入电容:1030pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263
IRF9910TRPBF 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻(2.7mΩ),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力(58A 连续漏极电流),适合大功率应用。
3. 快速开关性能,得益于较小的总栅极电荷(75nC),从而降低了开关损耗。
4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境条件下依然稳定运行。
5. 可靠性高,符合工业级标准,适用于各种严苛应用场景。
6. 封装形式为 TO-263,易于安装和散热设计。
IRF9910TRPBF 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
3. 负载切换模块,在需要快速切换负载的应用中表现优异。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制部分。
5. 通信设备中的 DC-DC 转换器。
6. 各类消费电子产品中的高效功率管理方案。
IRFZ44N, IRF540N