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IRF9910TRPBF 发布时间 时间:2025/7/4 0:10:21 查看 阅读:7

IRF9910TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,适用于高频开关和功率转换应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提高效率。
  IRF9910TRPBF 的设计使其在各类工业、通信及消费电子领域中表现出色,例如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻:2.7mΩ
  总栅极电荷:75nC
  输入电容:1030pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

IRF9910TRPBF 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻(2.7mΩ),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力(58A 连续漏极电流),适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,得益于较小的总栅极电荷(75nC),从而降低了开关损耗。
  4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境条件下依然稳定运行。
  5. 可靠性高,符合工业级标准,适用于各种严苛应用场景。
  6. 封装形式为 TO-263,易于安装和散热设计。

应用

IRF9910TRPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
  3. 负载切换模块,在需要快速切换负载的应用中表现优异。
  4. 工业自动化设备中的功率转换和控制部分。
  5. 通信设备中的 DC-DC 转换器。
  6. 各类消费电子产品中的高效功率管理方案。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N

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IRF9910TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A,12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9910PBFTRIRF9910TRPBF-NDIRF9910TRPBFTR-ND