H5ANAG4NMMR 时间：2025/9/1 16:27:43 阅读：18

H5ANAG4NMMR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、低功耗类型的内存器件。该型号通常用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等需要大容量内存支持的应用场景。H5ANAG4NMMR采用了先进的制造工艺和封装技术，具备较高的数据存取速度和稳定性。

参数

容量：256MB
　　组织结构：x16
　　电压：1.8V ~ 3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　引脚数量：54

特性

H5ANAG4NMMR具有多个显著的性能特点，首先其256MB的存储容量在当时的DRAM市场中处于中高端水平，适用于需要较大内存缓冲的系统应用。
　　其次，该芯片支持x16的数据宽度，意味着每个时钟周期可以传输16位数据，提高了数据传输效率。
　　供电电压范围为1.8V至3.3V，使得该芯片能够在多种电源环境下稳定工作，适应性强。
　　采用TSOP（薄型小外形封装）技术，不仅节省空间，而且有助于提高封装密度，适合高密度PCB布局。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，表明该芯片适用于工业级环境，具备良好的温度耐受性和稳定性。
　　此外，H5ANAG4NMMR的数据速率为166MHz，访问时间为5.4ns，说明其具备较快的响应速度和数据存取能力，适用于需要快速数据处理的场景。

应用

H5ANAG4NMMR广泛应用于多个领域，包括但不限于网络设备（如路由器、交换机）、工业控制设备、通信基础设施（如基站）、嵌入式系统（如高端工控主板、智能终端设备）以及消费类电子产品（如高性能打印机、扫描仪等）。
　　在网络设备中，该芯片可作为高速缓存，提升数据转发和处理能力；在工业控制系统中，用于运行复杂的控制算法和数据采集任务；在通信设备中，用于支持高速信号处理和数据缓冲；在嵌入式系统中，提供稳定可靠的内存支持；在消费电子领域，则用于需要较高性能的外设设备中。
　　由于其良好的电气性能和宽温工作能力，H5ANAG4NMMR也常被用于需要长期稳定运行的工业和通信设备中。