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H5ANAG4NMMR 发布时间 时间:2025/9/1 16:27:43 查看 阅读:6

H5ANAG4NMMR 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、低功耗类型的内存器件。该型号通常用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等需要大容量内存支持的应用场景。H5ANAG4NMMR采用了先进的制造工艺和封装技术,具备较高的数据存取速度和稳定性。

参数

容量:256MB
  组织结构:x16
  电压:1.8V ~ 3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  数据速率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  引脚数量:54

特性

H5ANAG4NMMR具有多个显著的性能特点,首先其256MB的存储容量在当时的DRAM市场中处于中高端水平,适用于需要较大内存缓冲的系统应用。
  其次,该芯片支持x16的数据宽度,意味着每个时钟周期可以传输16位数据,提高了数据传输效率。
  供电电压范围为1.8V至3.3V,使得该芯片能够在多种电源环境下稳定工作,适应性强。
  采用TSOP(薄型小外形封装)技术,不仅节省空间,而且有助于提高封装密度,适合高密度PCB布局。
  其工作温度范围为-40°C至+85°C,表明该芯片适用于工业级环境,具备良好的温度耐受性和稳定性。
  此外,H5ANAG4NMMR的数据速率为166MHz,访问时间为5.4ns,说明其具备较快的响应速度和数据存取能力,适用于需要快速数据处理的场景。

应用

H5ANAG4NMMR广泛应用于多个领域,包括但不限于网络设备(如路由器、交换机)、工业控制设备、通信基础设施(如基站)、嵌入式系统(如高端工控主板、智能终端设备)以及消费类电子产品(如高性能打印机、扫描仪等)。
  在网络设备中,该芯片可作为高速缓存,提升数据转发和处理能力;在工业控制系统中,用于运行复杂的控制算法和数据采集任务;在通信设备中,用于支持高速信号处理和数据缓冲;在嵌入式系统中,提供稳定可靠的内存支持;在消费电子领域,则用于需要较高性能的外设设备中。
  由于其良好的电气性能和宽温工作能力,H5ANAG4NMMR也常被用于需要长期稳定运行的工业和通信设备中。

替代型号

H5ANAG4NMMR的替代型号包括H5ANAG4UBR(类似容量和封装的DRAM芯片)和HY5DU281622A(同类型DRAM,可能需要调整电路设计以适配)等。

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