时间：2025/10/6 21:27:39
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UBW1H2R2MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高效率、高速开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，使其在电源整流、DC-DC转换器、续流与箝位电路等场合表现出色。其封装形式为小型表面贴装型SOD-123FL，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。UBW1H2R2MPD的额定反向电压为20V，最大平均整流电流为2A，适用于低压大电流的应用场景。该二极管还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的需求。由于采用了环保材料并符合RoHS指令要求，UBW1H2R2MPD也适用于绿色电子产品设计。此外，该器件具有较低的漏电流和较高的反向耐压能力，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现，提升了系统整体的安全性与能效水平。
型号：UBW1H2R2MPD
制造商：ROHM Semiconductor
二极管类型：肖特基势垒二极管
最大重复反向电压（VRRM）：20V
最大平均整流电流（IO）：2A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms半正弦波）
正向电压降（VF）：典型值0.47V（在2A时，TA=25°C）
最大反向漏电流（IR）：200μA（在20V时，TA=125°C）
反向恢复时间（trr）：约10ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数量：2
UBW1H2R2MPD的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通电压。在2A的工作电流下，其典型正向电压仅为0.47V，这不仅减少了导通损耗，提高了电源转换效率，还降低了系统的发热量，有助于提升整体可靠性。尤其在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，这种低功耗特性能够有效延长续航时间。
该器件具备极短的反向恢复时间（trr约10ns），这意味着在高频开关操作中能够迅速从导通状态切换到截止状态，极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及开关电源中的续流和箝位应用。由于没有少子存储效应，肖特基二极管不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而避免了由此引发的电压振荡问题，增强了系统的稳定性。
UBW1H2R2MPD采用SOD-123FL超小型封装，尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.1mm，占用PCB面积小，非常适合高密度贴装需求。该封装还优化了热传导路径，提升了散热性能，使器件能在高达+150°C的结温下持续工作。同时，产品通过AEC-Q101车规认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣环境条件下仍具备出色的可靠性和耐久性，因此也可应用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和车身控制模块。
此外，该二极管具有较低的反向漏电流，在高温环境下仍能保持良好性能，防止因漏电增加而导致的功耗上升或误动作。ROHM在其制造过程中采用了无铅焊接技术和符合RoHS标准的材料，支持环保生产流程，并兼容现代回流焊工艺。批量生产的一致性高，良率优异，便于自动化贴片生产线使用，降低制造成本。
UBW1H2R2MPD广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，作为输出整流二极管或续流二极管使用；在USB供电、锂电池充电管理电路中用于防止反向电流流动，保护电源系统；在逆变器、适配器和AC-DC电源模块中承担高频整流任务；在电机驱动和继电器驱动电路中作为感应负载的箝位二极管，抑制反电动势对主控芯片造成损害；同时也可用于汽车信息娱乐系统、导航设备和车内照明的电源管理单元。此外，由于其优异的高温性能和车规认证，该器件还可部署于引擎舱附近的电子控制单元（ECU）或辅助驾驶系统中，提供稳定的电力保障。
RB751S40
