型号：UBT2C220MPD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：34 A（在 TC = 25°C）
　　导通电阻 RDS(on) max：9.8 mΩ（在 VGS = 10 V）
　　导通电阻 RDS(on) max：12 mΩ（在 VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）：37 nC（典型值，@ VDS = 50 V, ID = 17 A）
　　输入电容（Ciss）：1920 pF（@ VDS = 30 V）
　　功率耗散（PD）：40 W（TC = 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道
　　极性：增强型 N 沟道

UBT2C220MPD 的核心优势在于其采用的先进 TrenchFET 技术，这项技术通过优化硅基结构中的沟道布局，显著降低了导通电阻并提升了载流能力。该器件在 VGS = 10 V 条件下的 RDS(on) 最大值仅为 9.8 mΩ，在 VGS = 4.5 V 下也仅为 12 mΩ，这一低阻特性使得它在大电流应用中能够有效减少功率损耗和发热，从而提高系统的整体效率。同时，较低的 RDS(on) 还意味着可以在相同功率等级下减小散热器尺寸或实现更高的功率密度。
　　另一个关键特性是其出色的动态性能。UBT2C220MPD 具有相对较低的栅极电荷（Qg 典型值为 37 nC），这直接减少了驱动电路所需的能量，加快了开关速度，适用于高频开关电源拓扑如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等场景。低 Qg 结合较小的输入电容（Ciss = 1920 pF），使器件在快速切换过程中表现出更少的开关延迟和更低的开关损耗，进一步增强了高频工作的可行性。
　　该器件采用 PowerPAK SO-8L 封装，这种封装不仅体积小巧，便于在紧凑 PCB 设计中布局，而且通过底部裸露焊盘实现了优异的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速传递到 PCB 上的铜层进行散热。因此，即使在较高负载条件下也能维持稳定的结温，延长使用寿命并提升可靠性。此外，该封装不含铅且符合 RoHS 和无卤素规范，适应全球环保法规要求。
　　UBT2C220MPD 还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或突波负载情况下保持稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于恶劣环境下的工业与汽车级应用。综合来看，UBT2C220MPD 凭借其低导通电阻、高速开关能力、优良热性能及高可靠性，成为现代高效电源系统中的理想选择之一。

UBT2C220MPD 广泛应用于多种需要高效功率开关的场合。其中一个主要应用领域是 DC-DC 降压转换器（Buck Converter），尤其是在服务器主板、笔记本电脑和嵌入式系统中的多相电压调节模块（VRM）中，作为高边或低边开关使用。凭借其低 RDS(on) 和快速开关特性，该器件可显著降低传导损耗和开关损耗，提升电源转换效率。
　　在同步整流电路中，UBT2C220MPD 常用于替代传统的肖特基二极管，以实现更低的正向压降和更高的能效。例如，在反激式（Flyback）或正激式（Forward）电源拓扑中，用作次级侧同步整流开关，可以大幅提高整体效率并减少热积累。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED 驱动电源、热插拔控制器和负载开关设计。在便携式设备中，如平板电脑和移动电源管理系统中，UBT2C220MPD 可用于电池充放电路径控制，实现低功耗待机和快速响应的负载切换功能。
　　工业自动化设备中的电源模块、PLC 控制器、通信基站电源单元以及电信设备中的分布式供电架构也是其典型应用场景。由于其具备较强的电流承载能力和良好的温度稳定性，UBT2C220MPD 同样适合用于过流保护电路和电子保险丝（eFuse）设计中，提供可靠的电流切断与限流机制。总之，凡涉及中等电压（60V）、大电流、高频率开关需求的电力电子系统，均可考虑采用 UBT2C220MPD 实现高性能解决方案。

SiSS108DN-T1-GE3
　　IRLR2707PbF
　　FDMC86280