型号：TB28F800BVB90
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16 bits
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V (VCC), 可选 VPP
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取访问时间：90 ns / 120 ns（根据版本）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵或外部 VPP
　　接口类型：并行异步接口
　　写保护功能：软件及硬件写保护
　　擦除单元：按扇区（Sector）或整片擦除
　　写入周期寿命：典型值 100,000 次
　　数据保持时间：大于 10 年
　　总线宽度：16 位
　　待机电流：典型值 200 μA @ CMOS 兼容状态
　　工作电流：典型值 20 mA @ 5 MHz 读取操作

TB28F800BVB90 具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛的应用价值。首先，该芯片采用了 Intel 的 StrataFlash 技术，能够在单个存储单元中存储多位数据，从而提高存储密度并降低成本。尽管 TB28F800BVB90 在此型号中作为标准 NOR Flash 使用，但其底层技术为后续高密度产品奠定了基础。其次，该器件支持快速读取访问时间（最低可达 90ns），适用于需要高速代码执行的系统，例如 XIP（eXecute In Place）架构下的嵌入式处理器直接从 Flash 中运行程序，无需将代码复制到 RAM，节省了系统资源并加快启动速度。
　　该芯片具备灵活的扇区架构，允许用户对特定区域进行独立擦除和编程操作，这在固件升级或配置数据更新时非常有用。每个扇区可以单独保护，防止因电源波动或程序错误导致的关键数据丢失。此外，TB28F800BVB90 内置电荷泵电路，可在没有外部高压编程电源的情况下完成编程和擦除操作，简化了系统电源设计，降低了整体成本。同时，也支持外接 VPP 引脚以适应某些特殊应用场景的需求。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，可在工业级温度范围内（-40°C 至 +85°C）稳定工作，确保在恶劣环境下的长期运行性能。其数据保持时间超过 10 年，并可承受多达 10 万次的擦写周期，满足大多数工业和通信设备的使用寿命要求。此外，该芯片符合 JEDEC 标准封装和引脚定义，便于 PCB 布局和替换升级。综合来看，TB28F800BVB90 凭借其高性能、高可靠性和良好的兼容性，成为许多经典嵌入式系统设计中的首选 Flash 存储解决方案。

TB28F800BVB90 主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见使用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和 DSL 调制解调器，其中用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和设备配置信息。由于其支持 XIP（就地执行）功能，CPU 可直接从该 Flash 芯片中读取并执行代码，显著提升系统启动速度并减少对 RAM 的依赖，因此特别适合资源受限的嵌入式平台。
　　在工业自动化领域，该芯片被广泛用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、远程 I/O 模块等设备中，用于保存控制逻辑、校准参数和历史日志数据。其工业级温度适应能力和抗干扰设计确保了在工厂环境中长时间稳定运行。此外，在办公设备如激光打印机、多功能一体机中，TB28F800BVB90 常用于存储打印引擎控制固件、字体库和用户设置信息。
　　消费类电子产品和汽车电子模块也曾采用此类 Flash 芯片，尤其是在早期车载信息系统或导航设备中用于存储静态数据和基础软件。虽然随着技术发展，更高密度的串行 Flash 和 SPI 接口器件逐渐取代部分并行 Flash 应用，但在一些遗留系统维护、军工设备或长生命周期产品中，TB28F800BVB90 仍具有重要地位。其成熟的生态系统和广泛的第三方支持工具链也进一步延长了其市场生命周期。

S29GL064N90TFIR4
　　MT28EW01GABA1LPC-0SIT
　　IS26LV1024A-90TLI