时间：2025/7/16 8:58:40
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67L080是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的效率并降低功耗。
67L080的设计目标是满足现代电子设备对高效率和小型化的需求，其出色的热性能和电气特性使其成为众多应用的理想选择。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：80V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：52A（脉冲）
导通电阻Rds(on)：6.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：140W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
67L080具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少导通损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，有助于提高系统效率。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 热稳定性强，能够在较高的工作温度下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于全球市场。
6. 优异的静电防护能力，提高了使用的安全性。
67L080主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
4. 电池保护电路及负载切换开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的各种功率转换和驱动应用。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L
