时间：2025/10/7 3:24:42
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UBT2A100MPD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的高功率密度、高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，具有优异的热性能和电气特性，特别适用于高效率、高频率的电力电子转换系统。与传统的硅基二极管相比，UBT2A100MPD在反向恢复特性、导通损耗和高温工作能力方面表现出显著优势。该二极管采用无引脚表面贴装Power D2PAK封装，有助于提高功率密度并改善热管理，适合在紧凑型电源设计中使用。
UBT2A100MPD的额定电压为100V，平均正向电流可达2A，适用于需要快速开关和低损耗的电路应用。其零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和几乎无反向恢复电流的特性使其在硬开关和软开关拓扑中均能有效减少开关损耗，提升系统整体效率。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行，广泛应用于服务器电源、电信电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等领域。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均正向整流电流（IF(AV)）：2A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
最大正向电压降（VF）：1.7V @ 2A, TJ=25°C
反向漏电流（IR）：100μA @ 100V, TJ=25°C；1mA @ 100V, TJ=150°C
反向恢复时间（trr）：典型值0ns（无反向恢复电荷）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power D2PAK（表面贴装）
热阻结到外壳（RθJC）：约25°C/W
UBT2A100MPD的核心优势在于其基于碳化硅材料的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了传统PN结二极管中存在的少子存储效应，从而实现了近乎理想的开关行为。由于没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），该器件在高频开关操作中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰（EMI），这对于提升电源系统的效率和稳定性至关重要。尤其是在连续导通模式（CCM）的升压PFC电路、LLC谐振转换器和图腾柱PFC拓扑中，UBT2A100MPD能够显著降低主开关器件的电压应力和总系统损耗。
该器件具有出色的热稳定性，可在高达175°C的结温下持续工作，确保在高负载或高温环境下的长期可靠性。其正向电压降随温度变化较小，呈现出良好的温度系数特性，有助于多个二极管并联使用时实现自然均流。此外，低寄生电容和快速响应能力使其在高频整流和续流应用中表现优异，支持现代电源向更高频率、更小体积的发展趋势。
Power D2PAK封装不仅提供了优良的散热路径，还兼容标准的SMT生产工艺，便于自动化组装，提升了生产效率和产品一致性。该封装设计降低了热阻，增强了功率处理能力，同时减小了PCB占位面积，有利于实现高功率密度的设计目标。器件还具备高浪涌电流承受能力，可应对瞬态过载情况，如启动冲击或短路事件，增强了系统的鲁棒性。总体而言，UBT2A100MPD凭借其卓越的电气和热性能，成为替代传统快恢复二极管和硅肖特基二极管的理想选择，尤其适用于追求高能效和小型化的先进电源系统。
UBT2A100MPD广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在通信电源和服务器PSU中，它常用于有源钳位反激、LLC谐振变换器及图腾柱PFC电路中作为输出整流或辅助续流元件，帮助实现95%以上的系统效率。在可再生能源领域，该器件可用于光伏微逆变器和储能系统的DC-DC转换级，利用其低损耗特性提升能量转换效率。在电动汽车相关应用中，UBT2A100MPD适用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的次级整流环节，支持高功率密度和快速充电需求。
工业电源和电机驱动系统也大量采用此类碳化硅二极管，以满足宽输入电压范围和高温运行的要求。此外，在高端消费类电源适配器、LED驱动电源以及UPS不间断电源中，UBT2A100MPD有助于缩小磁性元件体积、降低散热需求，并提升整体系统可靠性。其优异的EMI性能也有助于简化滤波电路设计，符合日益严格的能效和环保标准。随着碳化硅技术的普及，该器件正逐步取代传统硅基方案，成为下一代高效电源架构中的关键组件。
UF3C120400DB7S
GSFC100-100D
