2SK3019KN 时间：2025/8/17 4:08:38 阅读：30

2SK3019KN 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专门设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电器等场合。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，能够有效降低功率损耗并提高系统的整体效率。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：20V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SK3019KN具备多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关条件下减少开关损耗。此外，2SK3019KN采用了SOT-223小型封装，具有良好的热管理和散热性能，适合空间受限的设计。它还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了在极端工作条件下的可靠性。最后，该MOSFET的栅极氧化层设计可承受高达20V的电压，提供了更大的驱动灵活性和抗干扰能力。
　　在电气性能方面，2SK3019KN在Vgs=10V时的导通电阻仅为65mΩ，使其适用于低电压、高电流的应用。其最大连续漏极电流为8A，能够在高负载条件下稳定工作。同时，该器件的反向恢复特性良好，适用于同步整流等对快速恢复有要求的电路设计。

应用

2SK3019KN常用于各类电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器以及LED驱动电路。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件也广泛应用于便携式电子产品、工业自动化设备、通信设备以及汽车电子系统中的电源模块。此外，在需要高效能和小尺寸封装的嵌入式系统中，2SK3019KN也是一种理想的选择。