时间：2025/10/7 6:40:35
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UBT1H4R7MPD是一款由松下（Panasonic）公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于表面贴装型电容器，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。该型号的命名遵循松下标准的MLCC命名规则，其中包含了电容值、额定电压、温度特性及封装尺寸等信息。UBT1H4R7MPD具有小型化、高可靠性和优良的电气性能特点，适用于高密度印刷电路板设计。该电容器采用X5R或X7R类电介质材料，具备良好的温度稳定性和电容保持率，在-55°C至+85°C或+125°C的工作温度范围内能够稳定工作。其额定电压为50V DC，标称电容值为4.7μF，容差通常为±20%，适合在需要中等容量和较高电压耐受能力的直流电路中使用。该器件采用0805（2012公制）封装，便于自动化贴片生产，符合现代电子产品微型化和高集成度的发展趋势。
电容值：4.7μF
额定电压：50V DC
容差：±20%
温度特性：X5R 或 X7R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C（X5R）或 -55°C 至 +125°C（X7R）
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：多层陶瓷
产品类型：表面贴装多层陶瓷电容器（SMD MLCC）
直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降，符合典型X5R/X7R行为
ESR（等效串联电阻）：低，具体数值依频率而定
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF
寿命稳定性：高温高湿偏压测试（如1000小时，85°C/85%RH，额定电压）后电容变化满足行业标准
UBT1H4R7MPD作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备优异的温度稳定性和电容保持能力。其采用X5R或X7R类高介电常数陶瓷材料，能够在宽温度范围内维持电容值的稳定性，温度系数通常为±15%（X5R）或±15%（X7R），远优于Y5V等普通介质材料。这使得它非常适合用于对电容稳定性要求较高的电源管理电路中，例如DC-DC转换器的输出滤波、LDO稳压器的旁路以及微处理器供电引脚的去耦。该器件的多层结构设计显著提升了单位体积内的电容密度，在0805这一小型封装内实现了4.7μF的较大容量，满足了现代便携式电子设备对空间节约的严苛要求。此外，其表面贴装封装形式兼容回流焊工艺，适用于自动化大规模生产，提高了组装效率和产品一致性。
该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少高频噪声和电压波动，提升电源系统的动态响应能力。在开关电源应用中，低ESR意味着更小的功率损耗和更高的转换效率。同时，该器件具备良好的直流偏压特性，尽管随着施加电压接近额定值，实际电容值会有所下降，但其性能仍优于许多同类产品，确保在实际工作条件下仍能提供足够的有效电容。松下在制造过程中采用严格的品质控制流程，使UBT1H4R7MPD具备高可靠性，能够通过高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环、机械冲击等多项环境测试，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对长期稳定性要求较高的应用场景。
UBT1H4R7MPD广泛应用于各类需要稳定电容性能和中等容量的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器的输入和输出端滤波电容，有效平滑电压纹波并抑制高频噪声，提高电源输出质量。在微控制器、FPGA、ASIC等数字集成电路的供电引脚附近，该电容器可作为去耦电容，快速响应瞬态电流需求，防止因电源电压波动导致的逻辑错误或系统复位。此外，它也适用于模拟电路中的信号耦合与旁路，例如音频放大器级间耦合、传感器信号调理电路的滤波等场景。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件可用于工业自动化设备、网络通信模块、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）以及车载电子系统（如信息娱乐系统、车身控制模块）中。在高密度PCB布局中，0805封装的UBT1H4R7MPD能够在有限空间内提供必要的电容支持，是替代电解电容和钽电容的理想选择之一，尤其在需要无极性、长寿命和高可靠性的场合。
GRM21BR71H475KA01L
CL21B475KOQNNNE
C2012X5R1H475K
