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U2K110B7472MB-T 发布时间 时间:2025/12/27 11:18:56 查看 阅读:16

U2K110B7472MB-T是一款由三星(Samsung)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于高容量、高电压的表面贴装器件,广泛应用于电源管理、工业设备以及消费类电子产品中。该电容器的标称电容值为4.7μF,额定电压为25V DC,采用X7R温度特性介质材料,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能。其封装尺寸为1210(英制),即3225公制尺寸(3.2mm x 2.5mm),适合在空间受限但需要较高电容值的应用场景中使用。U2K110B7472MB-T具有低等效串联电阻(ESR)和良好的高频响应特性,适用于去耦、滤波和储能等多种电路功能。作为一款车规级或工业级产品,它在可靠性和耐久性方面表现优异,能够承受高温高湿环境下的长期运行。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。

参数

电容:4.7μF
  额定电压:25V DC
  温度特性:X7R
  电容容差:±20%
  封装尺寸:1210(3225)
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  直流偏压特性:在25V下实际电容可降至约2.8~3.2μF(典型值)
  绝缘电阻:≥1000MΩ 或 时间常数 ≥1000sec
  等效串联电阻(ESR):典型值低于50mΩ(频率依赖)
  纹波电流能力:依据应用场景和PCB布局而定
  老化率:≤2.5% / decade hour(X7R材料特性)

特性

U2K110B7472MB-T所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方,能够在宽温度范围内提供相对恒定的电容输出,特别适合用于对温度稳定性要求较高的去耦和旁路应用。相比Y5V等材料,X7R具有更小的电容随温度变化的漂移,通常在整个工作温度区间内电容变化控制在±15%以内,尽管实际可用容量会因施加的直流偏置电压显著下降——这是高介电常数(high-K)陶瓷材料如BaTiO3的固有特性。在25V额定电压下施加接近满量程的直流偏压时,该电容器的实际有效电容可能仅维持在原始标称值的60%-70%,因此在设计电源轨滤波电路时必须参考制造商提供的直流偏压曲线进行降额计算。
  该器件采用多层结构设计,通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现大容量小型化。内部电极为镍(Ni)或铜(Cu)金属化系统,具备良好的导电性和热匹配性,同时支持回流焊工艺。由于其1210封装尺寸较大,相较于0805或0603封装,具有更好的机械强度和更高的抗热应力能力,在温度循环和热冲击测试中表现出更低的开裂风险,尤其适用于汽车电子和工业控制系统等严苛环境。
  此外,U2K110B7472MB-T经过严格的老化筛选和可靠性验证,满足AEC-Q200等车规被动元件认证要求(若标注为车规等级),具备高耐湿性、抗振动和长寿命特点。其低ESR特性使其在高频开关电源中能有效吸收噪声脉冲,提升系统稳定性。需要注意的是,这类大容量MLCC在PCB布局时应避免放置在板边或应力集中区域,并建议使用阶梯式焊盘设计或树脂模组封装以减少因基板弯曲导致的陶瓷开裂问题。

应用

U2K110B7472MB-T常用于各类需要中高压、中大容量去耦的电子系统中。在电源管理单元(PMU)中,它被广泛用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容,配合电解电容或钽电容使用,可有效抑制开关噪声并平滑电压波动。在工业自动化设备中,该型号可用于PLC模块、伺服驱动器和HMI面板中的稳压电路,确保数字逻辑芯片和模拟前端供电的纯净度。
  在汽车电子领域,该电容器适用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统、ADAS传感器供电等场景,特别是在12V或24V车载电源系统中作为局部储能元件。由于其工作温度上限达+125°C,能够适应发动机舱附近或密闭空间内的高温运行条件。
  此外,在通信基础设施设备如基站电源、光模块供电电路中,U2K110B7472MB-T也发挥着关键作用。其快速响应能力和低阻抗特性有助于应对瞬态负载变化,防止电压跌落影响信号完整性。在消费类电子产品如高端路由器、NAS存储设备和游戏主机中,该器件同样用于主控芯片(SoC、CPU、GPU)的外围去耦网络,保障高性能处理器在高负载下的稳定运行。

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