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NCLD3B1192M32 发布时间 时间:2025/7/9 18:34:10 查看 阅读:5

NCLD3B1192M32 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频率、高效率的应用场景设计。该芯片内置了驱动器和保护电路,可显著简化电源设计并提升系统性能。其主要应用于服务器电源、通信设备、以及新能源领域的高频DC-DC转换器中。
  这款芯片利用先进的GaN晶体管技术,能够实现更低的导通电阻和开关损耗,从而有效降低整体功耗并提高功率密度。

参数

封装:QFN48
  额定电压:600V
  额定电流:32A
  导通电阻:75mΩ
  工作温度范围:-40℃ to +125℃
  开关频率:最高支持至5MHz
  输入电容:4nF
  输出电荷量:30nC

特性

NCLD3B1192M32 具有以下特点:
  1. 高效的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),具备极低的导通电阻和开关损耗。
  2. 内置驱动器,能够直接驱动外部元件,减少外围电路复杂度。
  3. 提供全面的保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和短路保护(SCP)。
  4. 支持高频率操作,适合高频应用如LLC谐振变换器或图腾柱PFC。
  5. 小型化的QFN48封装有助于节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
  6. 极低的寄生电感和快速开关速度,进一步优化了动态性能。

应用

NCLD3B1192M32 芯片广泛应用于多种领域:
  1. 数据中心及服务器的高效电源解决方案。
  2. 通信基站中的DC-DC转换模块。
  3. 新能源汽车车载充电机(OBC)与DC-DC变换器。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。
  5. 高效消费类快充适配器和USB-PD充电器。

替代型号

NCLD3B1192M16
  NCLD3A1192M32

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