NCLD3B1192M32 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频率、高效率的应用场景设计。该芯片内置了驱动器和保护电路,可显著简化电源设计并提升系统性能。其主要应用于服务器电源、通信设备、以及新能源领域的高频DC-DC转换器中。
这款芯片利用先进的GaN晶体管技术,能够实现更低的导通电阻和开关损耗,从而有效降低整体功耗并提高功率密度。
封装:QFN48
额定电压:600V
额定电流:32A
导通电阻:75mΩ
工作温度范围:-40℃ to +125℃
开关频率:最高支持至5MHz
输入电容:4nF
输出电荷量:30nC
NCLD3B1192M32 具有以下特点:
1. 高效的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),具备极低的导通电阻和开关损耗。
2. 内置驱动器,能够直接驱动外部元件,减少外围电路复杂度。
3. 提供全面的保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和短路保护(SCP)。
4. 支持高频率操作,适合高频应用如LLC谐振变换器或图腾柱PFC。
5. 小型化的QFN48封装有助于节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
6. 极低的寄生电感和快速开关速度,进一步优化了动态性能。
NCLD3B1192M32 芯片广泛应用于多种领域:
1. 数据中心及服务器的高效电源解决方案。
2. 通信基站中的DC-DC转换模块。
3. 新能源汽车车载充电机(OBC)与DC-DC变换器。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。
5. 高效消费类快充适配器和USB-PD充电器。
NCLD3B1192M16
NCLD3A1192M32