类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：1.5V（@20A, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（@25°C），10mA（@175°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +185°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：无（肖特基结构）

U20C20C的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的高效能表现。传统的硅基二极管在高频和高温环境下存在明显的性能瓶颈，例如较大的反向恢复电荷导致开关损耗增加、热失控风险上升等问题。而U20C20C采用宽禁带半导体材料碳化硅，从根本上克服了这些缺陷。由于其肖特基势垒结构不依赖P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，从而实现了零反向恢复电荷和极短的开关时间，大幅降低了开关过程中的能量损耗。这种特性使得它在高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路等对效率要求极高的拓扑结构中具有不可替代的优势。
　　此外，碳化硅材料本身具有更高的临界击穿电场强度和热导率，使U20C20C能够在高达175°C的工作结温下稳定运行，远高于传统硅器件的125°C或150°C上限。这不仅提升了器件在恶劣环境下的可靠性，还允许系统在更高温度条件下工作，减少了对外部冷却系统的依赖，有助于缩小整个电源系统的体积和重量。同时，较低的正向压降（VF）意味着更低的导通损耗，在满载和轻载工况下均能保持较高的转换效率。
　　另一个关键特性是其出色的抗浪涌能力。U20C20C可承受高达180A的非重复浪涌电流，表明其在面对电网波动、启动冲击或短路异常时具备较强的鲁棒性。结合其低热阻封装设计，热量能够迅速从芯片传导至散热器，避免局部过热引发失效。综合来看，U20C20C凭借其高频、高效、耐高温和高可靠性的特点，成为现代高功率密度电源系统中的理想选择。

U20C20C广泛应用于各类高效率电力电子转换系统中。在通信电源和服务器电源领域，随着数据中心对能效等级要求的不断提升，采用图腾柱无桥PFC拓扑已成为主流趋势，而U20C20C因其无反向恢复特性，非常适合用作主整流臂中的升压二极管，显著降低开关损耗并提升系统PF值。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护和MPPT电路中的续流路径，帮助实现更高的光电转换效率和更长的设备寿命。电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩也大量使用此类碳化硅二极管，以满足高功率密度和快速充电的需求。
　　工业电机驱动和变频器系统中，U20C20C常被用于制动单元或辅助电源整流环节，在频繁启停和负载突变的工况下展现出优异的动态响应能力和长期稳定性。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该器件可在双向DC-AC或DC-DC变换器中作为关键元件，提升系统整体效率并降低运行温升。其高结温能力和紧凑封装也使其适用于空间受限但散热条件有限的应用场景，如嵌入式电源模块或模块化电源阵列。总之，凡是追求小型化、轻量化、高效率和高可靠性的现代电力电子装置，都是U20C20C的理想应用场景。

C2D20020A
　　SDC20020C17
　　Vincotech VSI200-A17