R1160N281B-TR-FE是一款由理光(Ricoh)公司生产的高精度、低功耗的CMOS电压稳压器,属于R1160N系列。该器件主要用于为便携式电子设备和需要稳定电源供应的电路提供精确的输出电压。R1160N281B-TR-FE采用固定输出电压设计,输出电压为2.8V,具备优异的负载调整率和线路调整率,能够在输入电压波动或负载变化的情况下保持稳定的输出。该芯片广泛应用于电池供电设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端、无线传感器网络以及各类嵌入式系统中。R1160N281B-TR-FE采用小型封装形式(通常为DFN1010-4或类似微型封装),非常适合对空间要求极为严格的便携式电子产品。其内部集成了过流保护和热关断功能,提升了系统的安全性和可靠性。此外,该稳压器具有极低的静态电流,典型值仅为0.6μA,使其在待机或低功耗模式下也能高效运行,延长了电池使用寿命。
工作电压范围:1.8V ~ 5.5V
输出电压精度:±2%
输出电流能力:最大300mA
静态电流:典型值0.6μA
关断电流:小于0.1μA
负载调整率:±5mV
线路调整率:±0.1%/V
输出电容建议值:≥0.47μF(陶瓷电容器)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:DFN1010-4(1.0mm x 1.0mm)
R1160N281B-TR-FE具备出色的动态响应性能,能够快速响应负载电流的变化,确保输出电压的稳定性。其采用CMOS工艺制造,具备极高的集成度和可靠性,在高温环境下仍能保持良好的电气特性。芯片内置软启动功能,可有效抑制上电瞬间的浪涌电流,防止对电源系统造成冲击。同时,其低压差特性使得即使在输入电压接近输出电压时也能正常工作,显著提高了能源利用效率,特别适用于单节锂电池供电的应用场景。该器件还具有高PSRR(电源抑制比),在低频段可达70dB以上,能有效滤除来自输入端的噪声干扰,为敏感模拟电路或射频模块提供干净的电源。其超小型封装不仅节省PCB空间,还支持高密度贴装工艺,适合自动化大规模生产。另外,R1160N281B-TR-FE支持使能控制(EN引脚),允许外部逻辑信号控制芯片的开启与关闭,便于实现系统的低功耗管理策略。所有内部电路均经过优化设计,无需额外的保护二极管即可安全连接负载电容,简化了外围电路设计。整体而言,这款LDO以其小尺寸、低功耗、高稳定性和丰富的保护功能,成为现代低功耗电子系统中的理想电源解决方案。
值得一提的是,R1160N系列采用了先进的反馈环路补偿技术,保证在整个工作范围内都能维持环路稳定,避免振荡现象的发生。即使使用小型陶瓷输出电容也能保持良好的稳定性,进一步减小了整体方案的体积。此外,该芯片在制造过程中严格遵循环保标准,符合RoHS指令要求,不含铅等有害物质,适用于全球市场的消费类电子产品出口需求。其高可靠性和长期供货能力也使其成为工业级和汽车级应用中的优选器件之一。
该芯片常用于便携式医疗设备、智能手表、蓝牙耳机、TWS耳机、智能家居传感器节点、RFID标签、无线通信模块(如Wi-Fi、BLE、ZigBee)、MCU供电单元、内存备份电源、实时时钟(RTC)供电等领域。由于其超低静态电流和高精度输出特性,尤其适合长时间运行且依赖电池供电的物联网边缘设备。此外,也可作为高性能模拟前端、传感器信号调理电路的参考电源使用。
XC6206P281MR-G,RM1117-2.8,ME6211C28M5G-N