时间：2025/8/25 4:11:40
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FDMC6680PZ是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的高性能双N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供极低的导通电阻和高效的开关性能。该器件封装在紧凑的5mm x 6mm MLP（QFN）封装中，适用于空间受限的应用。FDMC6680PZ常用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等高效率电源管理系统。
类型：双N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A（每个通道）
漏极电压（VDSS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：16mΩ @ VGS = 4.5V, 12mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：9.3nC @ 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：MLP 5mm x 6mm
FDMC6680PZ具备多项优越特性，包括极低的RDS(on)，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用的PowerTrench?技术优化了晶圆结构，减少了栅极电荷（Qg），从而提升开关性能并降低驱动损耗。该器件的双N沟道结构设计使其能够在多个电源管理拓扑中实现紧凑、高效的功率控制。
此外，FDMC6680PZ的QFN封装具有优异的热性能，能够有效地将热量传导至PCB，提升器件在高负载下的稳定性。该封装也符合RoHS环保标准，适合广泛应用在消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中。
其栅极驱动电压兼容于常见的3.3V和5V逻辑电平，方便与各种控制器或驱动IC配合使用。该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，确保系统长期可靠运行。
FDMC6680PZ广泛应用于多种电源管理场景，如同步整流DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备中的高效功率控制模块。由于其小尺寸和高效率，它也非常适合用于空间受限的移动设备、无人机、智能穿戴设备以及工业自动化系统中的功率开关应用。
Si7156DP, FDMC6670AS, FDMC6670DS
