类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id：8.9A
　　导通电阻 Rds(on)：32mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散 Pd：5.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN10（SON）

CGB1089ZSB 具备多项优异特性，使其在功率 MOSFET 市场中占据一席之地。首先，其导通电阻 Rds(on) 极低，仅为 32mΩ（在 Vgs = 10V 时），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，提升了电流处理能力和开关速度，同时降低了开关损耗。
　　此外，CGB1089ZSB 的最大漏源电压为 100V，栅源电压容限为 ±20V，具备良好的电压耐受能力，适用于多种中压功率转换应用。其最大漏极电流为 8.9A，能够在较高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 的封装形式为 DFN10（SON），具有较小的封装尺寸和良好的热性能，便于在高密度 PCB 设计中布局，并有效散热。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种环境条件下的稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
　　最后，CGB1089ZSB 的功率耗散能力为 5.0W，表明其在连续工作状态下具有良好的热管理能力，适用于需要长时间运行的高可靠性系统。

CGB1089ZSB 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，它可作为主开关器件，负责将输入电压高效转换为所需的输出电压，适用于电源模块、适配器和便携式设备电源系统。在负载开关电路中，它可用于控制负载的通断，实现低功耗模式和电源隔离。此外，该 MOSFET 还广泛用于电池管理系统（BMS）、电机驱动器和 LED 驱动电路中，提供高效、稳定的开关控制功能。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，CGB1089ZSB 也适用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于驱动继电器、传感器和执行器等外围设备。

SiSS1089DN, CSD16403Q3, FDS6680, CGB1089Z