HV1C477M0810PZ 是一款高电压功率 MOSFET,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)生产流程。
最大漏源电压:800V
最大连续漏极电流:1.2A
最大栅极电压:±20V
导通电阻:3.5Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
功耗:1.5W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
HV1C477M0810PZ 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:能够承受高达 800V 的漏源电压,适用于高电压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在栅极电压为 10V 时,导通电阻仅为 3.5Ω,有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能:优化的内部结构设计使器件具有较快的开关速度,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性:能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 小型化封装:TO-252 封装形式节省 PCB 空间,同时支持自动化装配过程。
6. 高可靠性:通过了严格的测试验证,确保在恶劣环境下长期可靠运行。
HV1C477M0810PZ 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源模块中的功率开关。
2. 电机驱动:作为无刷直流电机(BLDC)驱动电路中的功率级元件。
3. 电磁阀控制:用于工业自动化设备中电磁阀的开启与关闭控制。
4. LED 驱动:在高亮度 LED 照明系统中用作恒流驱动器。
5. 逆变器:应用于小型光伏逆变器或其他能源转换装置。
6. 其他需要高电压、低损耗功率开关的应用场景。
IRF840,
FDP057N10A,
STP12NM60,
FQA12N65,
IXTH12N80T2