时间：2025/5/22 21:48:50
阅读：46
DMP2040UFDF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes公司生产。该器件采用超小型DFN3x3封装，适合空间受限的应用场景。DMP2040UFDF的主要特点是低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提高效率。它适用于多种电源管理和信号切换应用。
漏源电压(Vds)：30V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.8V~3.6V
导通电阻(Rds(on))：15mΩ@Vgs=4.5V
连续漏电流(Id)：12A
栅极电荷(Qg)：7nC
总电容(Ciss)：1150pF
反向恢复时间(trr)：90ns
工作温度范围(Ta)：-55℃~150℃
DMP2040UFDF具有非常低的导通电阻，能够在高电流条件下提供高效的功率传输。
其小尺寸DFN3x3封装非常适合便携式设备和其他对空间敏感的设计。
快速开关性能使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色。
较高的漏源电压和较大的漏电流允许其在多种负载条件下稳定运行。
广泛的温度范围确保了其在极端环境下的可靠性。
DMP2040UFDF广泛应用于直流电机驱动、负载开关、电源管理、电池充电保护、POL转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景。其低导通电阻和快速开关能力使其特别适合便携式电子设备、消费类电子产品以及工业自动化领域。
DMP2008UFG, DMP2020UFDF
