DMN63D8LW 是一款 N 沣道制 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 LFPAK56E 封装。该器件适用于低电压应用,具有较低的导通电阻和快速开关性能,适合用于高效能电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的设计优化了功率密度和热性能,使其能够在高电流和高频条件下稳定工作。由于其小尺寸封装和出色的电气特性,DMN63D8LW 在消费电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:27A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:32nC
开关速度:快速
封装类型:LFPAK56E
DMN63D8LW 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,能够适应高频应用环境。
3. 高电流承载能力,支持大功率系统设计。
4. 紧凑的 LFPAK56E 封装,节省 PCB 空间,并具备良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品制造需求。
6. 优异的雪崩耐量和坚固耐用性,提高了系统的可靠性和稳定性。
DMN63D8LW 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和逆变器。
4. 消费类电子产品的电源管理和信号切换。
5. 通信设备中的高效功率传输模块。
6. 汽车电子系统中的辅助电源和控制单元。
DMN6048LSE, DMN63D8LE