TZ500N08 时间：2025/8/22 20:50:40 阅读：9

TZ500N08是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高功率应用场合，如电源转换、马达控制以及DC-DC转换器。该器件采用先进的沟槽式技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和高效率，同时具备良好的热性能和可靠性。TZ500N08的封装形式多为TO-220或TO-263等，便于散热和集成到各种电路设计中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：50A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220或TO-263

特性

TZ500N08具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现优异，同时减少了散热需求。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，确保了器件的高稳定性和长寿命。该器件的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同的驱动条件下保持稳定的工作状态。
　　TZ500N08还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其高电流容量和耐压能力使其适用于各种高功率密度设计，如开关电源、电动工具、电动车控制器等。同时，该MOSFET的封装设计优化了散热性能，能够有效地将热量传递到散热片或其他冷却系统中，从而提高系统的整体热管理能力。

应用

TZ500N08广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电动车控制器、工业自动化设备以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也常用于高功率LED驱动电路和逆变器设计中。此外，TZ500N08还可以用于电源管理模块和储能系统，提供高效的功率转换和控制能力。