制造商：Renesas Electronics
　　类型：GaN 射频功率晶体管
　　工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　最大输出功率：50W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极效率：55%（典型值）
　　工作电压：28V
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻（Rth）：0.35°C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RFPD2758 具有出色的射频性能和高可靠性，适用于苛刻的工业和通信应用环境。其 GaN 技术提供了更高的功率密度和更好的热管理能力，相较于传统的 LDMOS 器件具有显著优势。
　　该晶体管具有高线性度，支持复杂调制格式（如 OFDM 和 QAM），非常适合用于 4G/5G 基站、微波通信和宽带放大器系统。
　　RFPD2758 的高效率特性有助于降低功耗，提高系统能效，同时减少散热需求，从而降低整体系统成本。
　　其表面贴装封装设计便于自动化生产和高密度 PCB 布局，适用于现代高频电路设计要求。
　　此外，RFPD2758 具有良好的失配耐受性，能够在较宽的负载变化范围内保持稳定工作，适用于各种射频功率放大应用场景。

RFPD2758 主要用于以下应用领域：
　　1. 无线通信基础设施：如 4G/5G 基站、微波回传系统和分布式天线系统（DAS）。
　　2. 测试与测量设备：如频谱分析仪、信号发生器和功率放大器模块。
　　3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体生成和射频能量传输系统。
　　4. 军事与航空航天：如雷达系统、电子战设备和卫星通信系统。
　　5. 广播系统：如数字广播发射机和高功率 FM 放大器。

RFPD2758F、RFPD2762、RFPD2850、CGH40010F、CGH40025F