类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：375A
　　最大漏源电压：160V
　　最大栅极电压：20V
　　导通电阻：5.8mΩ（最大值）
　　功率耗散：400W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247AD

TZ375N16KOF MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，这款器件的最大漏极电流为375A，能够承受极端负载条件下的大电流需求。
　　此外，TZ375N16KOF 的最大漏源电压为160V，适用于中高电压应用场景。其耐高温特性允许器件在恶劣环境下稳定工作，且封装采用TO-247AD形式，具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，从而进一步提升效率。其栅极驱动电压范围宽广，支持灵活的驱动电路设计。同时，该器件具备较高的抗雪崩能力，增强了其在异常工作条件下的稳定性。

TZ375N16KOF MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于高效率的DC-DC转换器、电源供应器以及负载开关电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为大功率电源转换的理想选择。
　　在工业自动化领域，TZ375N16KOF 可用于电机驱动和变频器设计，提供稳定的功率输出和高效的能量转换。此外，它也适用于不间断电源（UPS）系统、电池管理系统（BMS）和储能设备中，以确保系统的稳定运行。
　　在汽车电子方面，该器件可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率转换模块，例如车载充电器、逆变器和电机控制器。其高可靠性和耐温特性满足了汽车电子对环境适应性的高要求。

TK80E160K, IPPB75N15N3G, FDPF085N10A0A