类型：功率MOSFET模块
　　配置：双路N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：±20A
　　最大漏源电压（VDS）：560V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 200mΩ
　　封装类型：DIP
　　安装方式：通孔安装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（QG）：典型值 45nC
　　短路耐受能力：有
　　反向恢复时间（trr）：典型值 35ns
　　热阻（Rth）：结至外壳 1.2°C/W

PM42S-560-RC 采用了先进的沟槽栅极和场截止（Field-Stop）技术，使其在高电压和高电流条件下依然能保持极低的导通损耗和开关损耗。这种技术优化了电子迁移率，减少了内部电阻，从而提升了整体效率。此外，该模块具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该器件还集成了快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），具有较低的反向恢复时间（trr），从而减少了在高频开关应用中的能量损耗。其双路N沟道MOSFET配置允许用户实现对称的半桥或全桥拓扑结构，非常适合用于电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等应用。
　　在保护特性方面，PM42S-560-RC 设计有内置的过热保护和短路保护功能，进一步增强了系统的安全性和稳定性。其封装结构经过优化，提供了良好的绝缘性能和机械强度，适用于工业级应用环境。

PM42S-560-RC 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统，包括但不限于工业电机控制、伺服驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电焊机以及高频开关电源等。由于其优异的导通和开关性能，该模块也广泛用于需要高频工作的感应加热设备和智能电网系统。
　　在电机控制领域，PM42S-560-RC 可用于实现精确的矢量控制和节能运行；在可再生能源系统中，该模块可用于光伏逆变器和风力发电变流器中，提升能源转换效率；在电动汽车充电系统中，它可支持快速充电和高效的能量回馈机制。

PM42S-560-RC的替代型号包括PM42S-560-RC-E、PM42S-560-RB、PM42S-560-RB-E、PM42S-560-RR、PM42S-560-RR-E等。