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SI6413DQ-T1-E3 发布时间 时间:2025/4/29 18:27:05 查看 阅读:2

SI6413DQ 是一款由 Semtech 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于 Si系列功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。此型号的后缀 -T1-E3 表示特定的封装形式和筛选等级,通常适用于工业级或汽车级应用。
  SI6413DQ 的设计重点在于优化效率和热性能,同时保持较高的可靠性。其小尺寸和高效能使其成为空间受限应用场景的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极驱动电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:47nC(典型值)
  输入电容:2590pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

SI6413DQ 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持高达 38A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车电子应用。
  6. 小型化 TO-263-3 封装,节省 PCB 空间。
  7. 静电防护能力增强,提高产品可靠性。

应用

SI6413DQ 广泛应用于需要高效能功率开关的应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具中的电池管理和电机控制。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率调节和转换。
  5. LED 驱动器和电信设备中的功率管理模块。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该器件特别适合对效率和耐用性要求较高的领域。

替代型号

SI6412DQ
  SI6414DQ
  IRF7739

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SI6413DQ-T1-E3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 8.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 400µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs105nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.05W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)