SI6413DQ 是一款由 Semtech 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于 Si系列功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。此型号的后缀 -T1-E3 表示特定的封装形式和筛选等级,通常适用于工业级或汽车级应用。
SI6413DQ 的设计重点在于优化效率和热性能,同时保持较高的可靠性。其小尺寸和高效能使其成为空间受限应用场景的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅极驱动电压:±20V
连续漏极电流:38A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:47nC(典型值)
输入电容:2590pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263-3
SI6413DQ 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力,支持高达 38A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车电子应用。
6. 小型化 TO-263-3 封装,节省 PCB 空间。
7. 静电防护能力增强,提高产品可靠性。
SI6413DQ 广泛应用于需要高效能功率开关的应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具中的电池管理和电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率调节和转换。
5. LED 驱动器和电信设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性,该器件特别适合对效率和耐用性要求较高的领域。
SI6412DQ
SI6414DQ
IRF7739