您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RD9.1M-T1B

RD9.1M-T1B 发布时间 时间:2025/7/7 18:20:59 查看 阅读:14

RD9.1M-T1B 是一款高性能的整流二极管,适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-252封装形式,具有较低的正向压降和较高的反向耐压能力,能够满足多种电力电子设备的需求。其广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等电路中。

参数

最大反向电压:900V
  最大正向平均电流:1A
  峰值正向浪涌电流:80A
  正向电压(@1A):1.1V
  反向漏电流(@25℃):5μA
  结电容:15pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

RD9.1M-T1B 的主要特点是具备出色的耐高压性能,能够在高达900V的工作环境下稳定运行。同时,其低正向压降有助于降低功耗并提高效率。此外,该器件的高浪涌电流能力使其非常适合需要承受瞬时大电流冲击的应用。其封装设计还支持高效的散热管理,确保长时间工作的可靠性。
  该器件在高温条件下仍能保持稳定的电气特性,适合工业级和汽车级应用需求。

应用

RD9.1M-T1B 广泛应用于各类高电压环境下的电力转换和保护电路中,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源中的整流电路
  - 逆变器中的输出整流
  - 电机驱动中的续流保护
  - 太阳能逆变器及储能系统
  - 电动汽车充电装置
  - 工业自动化设备中的电源模块

替代型号

RD9.1M-T1G
  MBR10100CT
  1N5399
  SBR10U90P5

RD9.1M-T1B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价