时间：2025/9/7 13:34:31
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TX26D02VM1CAA 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率、高效率的电源管理和电机控制应用。TX26D02VM1CAA采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，使其适用于高电流负载的场景。该器件封装在高散热效率的封装中，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：260A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Pd）：200W
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
TX26D02VM1CAA具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，提升了电流处理能力和热性能，使得在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）可达60V，适用于多种电源转换和电机驱动应用。其栅极设计支持宽范围的栅源电压（±20V），增强了器件的稳定性和适用性。
由于采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，TX26D02VM1CAA不仅便于自动化装配，还具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计。此外，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
该器件还具备良好的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。其低门极电荷（Qg）特性也使得开关损耗降低，提高系统效率。
TX26D02VM1CAA广泛应用于需要高电流、高效率的功率电子系统中。其主要应用包括：直流-直流转换器（DC-DC Converter）、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电系统、工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）以及功率因数校正（PFC）电路等。
由于其高电流能力和优异的导通性能，TX26D02VM1CAA特别适用于高功率密度设计，例如新能源汽车的电机驱动系统、工业自动化设备的功率模块以及高效率电源供应器。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统中的高边/低边开关控制。同时，在工业自动化设备中，它可用于变频器、伺服驱动器和工业机器人等设备的功率控制模块。
SiS828DN, IRF1404, STP250N3LL, FDP1404
