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TX14D11VM1CBB 发布时间 时间:2025/9/6 18:49:11 查看 阅读:15

TX14D11VM1CBB 是一款由 Texas Instruments(德州仪器)生产的 DC-DC 控制器集成电路,属于多拓扑 PWM 控制器系列。该器件支持多种电源拓扑结构,如升压(Boost)、反激式(Flyback)、正激式(Forward)等,适用于各种中高功率的电源设计。TX14D11VM1CBB 采用标准的 16 引脚 SOIC 封装,具有高性能、高可靠性和设计灵活性。其主要功能是通过脉宽调制(PWM)来控制功率开关器件,以实现高效的能量转换。

参数

类型:多拓扑 PWM 控制器
  封装类型:16 引脚 SOIC
  工作电压范围:9.5V 至 30V
  最大输出频率:500kHz
  输出控制模式:电压模式/电流模式可选
  最大占空比:100% 可调
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  保护功能:过电流保护(OCP)、过电压保护(OVP)、欠电压锁定(UVLO)
  参考电压精度:±1%
  误差放大器带宽:3MHz
  驱动能力:双路输出,每路最大驱动电流 100mA

特性

TX14D11VM1CBB 的主要特性之一是其高度的灵活性,适用于多种电源转换拓扑结构,这使得设计者可以根据不同的应用需求选择最合适的电路配置。该控制器支持电压模式和电流模式控制,用户可以根据系统的稳定性、响应速度和效率要求进行选择。此外,其高达 500kHz 的工作频率允许使用小型外部元件,如电感和电容,从而减小电源模块的整体尺寸。
  该器件内置一个高精度的基准电压源(±1%),确保了输出电压的稳定性。同时,误差放大器具有 3MHz 的带宽,使得系统能够快速响应负载变化,保持输出电压的稳定。在保护功能方面,TX14D11VM1CBB 提供了丰富的安全机制,包括过电流保护(OCP)、过电压保护(OVP)和欠电压锁定(UVLO),有效防止电源系统在异常情况下损坏。
  其双路输出驱动能力(每路最高 100mA)使其能够直接驱动功率 MOSFET 或双极型晶体管,减少了外围驱动电路的复杂度。此外,该控制器的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级环境,确保在各种苛刻条件下稳定运行。

应用

TX14D11VM1CBB 广泛应用于多种电源转换系统,包括但不限于工业电源、电信设备电源、服务器电源、DC-DC 模块、LED 驱动器以及各种中高功率的离线式开关电源(SMPS)。由于其支持多种拓扑结构的能力,TX14D11VM1CBB 特别适合需要灵活设计的电源系统,例如在需要升压、反激或正激拓扑的场合。
  在工业自动化和控制系统中,TX14D11VM1CBB 常用于构建高效率的电源模块,为 PLC、传感器、执行器等提供稳定的电源支持。在通信设备中,该控制器可用于构建高可靠性、高效率的电源转换模块,以满足设备对电源质量和稳定性的严格要求。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,TX14D11VM1CBB 也可用于构建高效的 DC-DC 转换器。

替代型号

UC3843, LM5030, NCP1252, SG3525

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