TVA0300N09W3S 时间：2025/7/28 9:22:12 阅读：7

TVA0300N09W3S是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET晶体管，属于高性能的功率半导体器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适合在高电流和高频率条件下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：300V
　　最大连续漏极电流(Id)：9A
　　导通电阻(Rds(on))：0.3Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：45nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：125W

特性

TVA0300N09W3S具备多项卓越的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。该特性在高电流负载条件下尤为重要，有助于降低发热并提升系统稳定性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了载流子流动路径，从而提高了开关速度并降低了开关损耗。这种设计使其在高频开关应用中表现优异，适用于DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器等高效率电源系统。
　　此外，TVA0300N09W3S具有良好的热管理和耐久性，其TO-220封装能够有效地将热量传导到散热器上，从而确保器件在高负载下仍能稳定运行。工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，适应多种严苛的工业环境。
　　在驱动方面，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路所需的能量，从而提高了整体系统的响应速度和效率。这对于需要快速开关控制的应用，如PWM控制电路和电源管理系统，尤为关键。
　　最后，该器件具有良好的短路和过载保护能力，能够在极端工作条件下保持稳定，延长了系统的使用寿命并提高了可靠性。

应用

TVA0300N09W3S因其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于多个工业和消费类电子产品中。常见应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS不间断电源、电机驱动和控制系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源管理模块。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器和电动工具等高功率密度应用场合。