时间：2025/6/21 13:52:52
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WPN252010H2R2MT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件主要应用于需要高效率和低导通损耗的场景，例如开关电源、电机驱动、负载切换以及 DC/DC 转换器等应用。其采用 TO-263 封装形式，具备出色的散热性能和电气特性。
这款 MOSFET 通过优化的制造工艺实现了较低的导通电阻和栅极电荷，从而提高了系统的整体效率并减少了功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷（典型值）：78nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263
WPN252010H2R2MT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷 (Qg)，可减少开关损耗，从而支持高频操作。
3. 高电流处理能力，适用于大功率应用。
4. 提供了可靠的雪崩能量保护功能，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 具备快速开关性能，适合于高频开关应用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，无铅设计。
7. 出色的热稳定性和可靠性，保证长期使用中的稳定性。
WPN252010H2R2MT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 各种电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业控制和自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
6. 太阳能逆变器和其他新能源转换系统中的功率管理元件。
WPN252010H2R2ML, WPN252010H2R2MR
