类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏-源电压：190V
　　导通电阻(RDS(on))：68mΩ
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　功耗(PD)：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：表面贴装TO-263

TV30C190JB-G具有多项卓越特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为68mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的漏-源电压最大可达190V，能够适用于较高电压的功率转换应用。其最大漏极电流为30A，使得它在高电流负载条件下依然能够稳定工作。
　　采用先进的沟槽式MOSFET技术，提高了器件的开关速度，同时降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，TV30C190JB-G的封装形式为TO-263表面贴装封装，不仅节省空间，而且便于自动化生产和散热管理。
　　该器件的栅极电压允许±20V，提供了更高的驱动灵活性，并增强了对过压的容忍能力。内置的热保护特性也提高了器件在极端工作条件下的可靠性。此外，其80W的最大功耗和宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适合在各种工业和汽车应用中使用。

TV30C190JB-G广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池充电器以及各类工业自动化设备。在电机控制应用中，由于其高电流能力和快速开关特性，可实现高效、精确的转矩控制。在电源管理领域，该器件可用于高效率的同步整流和功率因数校正电路。
　　此外，该MOSFET也适合用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车中的电池管理系统。其表面贴装封装形式也使其适用于需要高集成度和小型化设计的电子产品，例如消费类电源和便携式储能设备。

SiHP09NQ100SG、FDMS86180、IRFR4207、IPB09CN10N、TKA100E09CB