时间：2025/6/14 13:09:07
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TTD85N03AT是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为低电压、高效率的应用设计。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换电路和负载开关场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供卓越的性能和可靠性。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：85A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：65nC
总电容(Ciss)：3290pF
工作结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下保护电路。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 小型封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 开关电源(SMPS)和负载点(PoL)转换。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
IRF3205
SI447DY
FDP15N10
STP85NE06
