TT310N22KOF 时间：2025/8/23 17:20:01 阅读：5

TT310N22KOF是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。该器件设计用于在高频率下工作，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：30A（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

TT310N22KOF具有多项优良特性，使其在各种电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。其封装设计（TO-220）也确保了良好的散热性能，便于在高功率应用中使用。
　　此外，TT310N22KOF的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，增强了其应用灵活性。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。由于其优异的电气特性和热性能，TT310N22KOF广泛用于电源转换、电机控制和电池管理系统等领域。

应用

TT310N22KOF广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：DC-DC转换器中的高效率功率开关、电源管理系统中的负载开关、电机驱动电路、电池充电器、太阳能逆变器以及工业自动化和控制系统中的功率控制部分。其优异的电气性能和可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载电源管理系统。