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MT18N9R0B500CT 发布时间 时间:2025/6/3 10:28:01 查看 阅读:4

MT18N9R0B500CT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型器件。该型号广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景,能够提供高效的电流控制能力以及低导通电阻特性。
  该芯片采用先进的制造工艺,具备高可靠性和稳定性,同时优化了动态性能以适应高频开关应用的需求。

参数

型号:MT18N9R0B500CT
  类型:MOSFET (N沟道)
  额定电压:500V
  额定电流:9A
  导通电阻:0.22Ω(典型值)
  栅极电荷:35nC(最大值)
  输入电容:1200pF(典型值)
  总功耗:20W(最大值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

MT18N9R0B500CT 具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定电压高达 500V,适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻:在同类产品中表现出较低的导通电阻 (0.22Ω),从而降低导通损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度:得益于优化的栅极电荷设计,其开关速度较快,适合高频应用。
  4. 宽温工作范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的宽温度区间,确保在极端条件下的可靠性。
  5. 稳定性高:经过严格的质量测试,保证长时间运行的稳定性和一致性。
  6. 封装坚固:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能和机械强度。

应用

MT18N9R0B500CT 可用于多种电力电子设备及系统:
  1. 开关电源:包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提升转换效率。
  2. 电机驱动:适用于中小型电机的启动、调速和制动控制。
  3. 工业自动化:用作负载切换或保护元件。
  4. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能发电系统中的功率调节单元。
  5. 电动汽车:作为电池管理系统的一部分,参与充放电过程的控制。
  6. 不间断电源 (UPS):为关键设备提供可靠的后备电源支持。

替代型号

MT18N9R0B550CT, IRFP460, STP9NK50Z

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MT18N9R0B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.30673卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-