时间：2025/6/3 10:28:01
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MT18N9R0B500CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型器件。该型号广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景，能够提供高效的电流控制能力以及低导通电阻特性。
该芯片采用先进的制造工艺，具备高可靠性和稳定性，同时优化了动态性能以适应高频开关应用的需求。
型号：MT18N9R0B500CT
类型：MOSFET (N沟道)
额定电压：500V
额定电流：9A
导通电阻：0.22Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
输入电容：1200pF（典型值）
总功耗：20W（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
MT18N9R0B500CT 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压高达 500V，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：在同类产品中表现出较低的导通电阻 (0.22Ω)，从而降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：得益于优化的栅极电荷设计，其开关速度较快，适合高频应用。
4. 宽温工作范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的宽温度区间，确保在极端条件下的可靠性。
5. 稳定性高：经过严格的质量测试，保证长时间运行的稳定性和一致性。
6. 封装坚固：采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能和机械强度。
MT18N9R0B500CT 可用于多种电力电子设备及系统：
1. 开关电源：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提升转换效率。
2. 电机驱动：适用于中小型电机的启动、调速和制动控制。
3. 工业自动化：用作负载切换或保护元件。
4. 新能源领域：如太阳能逆变器、风能发电系统中的功率调节单元。
5. 电动汽车：作为电池管理系统的一部分，参与充放电过程的控制。
6. 不间断电源 (UPS)：为关键设备提供可靠的后备电源支持。
MT18N9R0B550CT, IRFP460, STP9NK50Z
